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1
2SB09560RL
参数信息:

功能描述:TRANS PNP LF 20VCEO 1A MINI-PWR

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

系列:-

标准包装:1

系列:-

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大):100nA

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V

功率 - 最大:710mW

频率 - 转换:100MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)

包装:Digi-Reel®

其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

2SB09560RL技术参数

2SB0956GRL 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR 2SB0956R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 2SB0956S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 2SB0968 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Output Amplification 2SB0968(2SB968) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:パワーデバイス - パワートランジスタ - 汎用電力増幅 2SB0968|2SB968 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification 2SB09680RL 功能描述:TRANS PNP 40VCEO 1.5A U-G2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR 2SB0970 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) 2SB0970(2SB970) 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires 2SB0970|2SB970 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires