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2SB1188-P

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ROHM

  • SOT-89

  • 09+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2SB1188-P
    2SB1188-P

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 1400

  • ROHM

  • 晶体管2

  • 05+

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  • 制造商
  • MCC
  • 制造商全称
  • Micro Commercial Components
  • 功能描述
  • PNP Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1188-P 技术参数
  • 2SB1186AE 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A TO220FP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):60 @ 1A,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:500 2SB1184TLR 功能描述:TRANS PNP 50V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SB1184TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SB1184TLP 功能描述:TRANS PNP 50V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:2,500 2SB1183TL 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.2mA,600mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:2,500 2SB1201S-E 2SB1201S-TL-E 2SB1201T-E 2SB1201T-TL-E 2SB1202S-E 2SB1202S-TL-E 2SB1202T-E 2SB1202T-TL-E 2SB1203S-E 2SB1203S-H 2SB1203S-H-TL-E 2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-H 2SB1203T-E 2SB1203T-H 2SB1203T-H-TL-E 2SB1203T-TL-E 2SB1203T-TL-H
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