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2SB1203-GL

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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2SB1203-GL 技术参数
  • 2SB1202T-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 3A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SB1202T-E 功能描述:TRANS PNP 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):0.7mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SB1202S-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 3A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):700mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:1 2SB1202S-E 功能描述:TRANS PNP 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):0.7mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SB1201T-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):700mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SB1203T-TL-H 2SB1204S-E 2SB1204S-TL-E 2SB1204T-E 2SB1204T-TL-E 2SB1205S-E 2SB1205S-TL-E 2SB1205T-E 2SB1205T-TL-E 2SB1215S-E 2SB1215S-H 2SB1215S-TL-E 2SB1215S-TL-H 2SB1215T-E 2SB1215T-H 2SB1215T-TL-E 2SB1215T-TL-H 2SB1216S-E
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