2SB1240-Y

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2SB1240-Y 技术参数

2SB1240TV2R 功能描述:TRANS PNP 32V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1240TV2Q 功能描述:TRANS PNP 32V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1240TV2P 功能描述:TRANS PNP 32V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1239TV2 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1.2mA，600mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SB1238TV2R 功能描述:TRANS PNP 80V 0.7A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SB1260T100P 2SB1260T100Q 2SB1260T100R 2SB1274R 2SB1274S 2SB1275TLP 2SB12990P 2SB1302S-TD-E 2SB1302T-TD-E 2SB1308T100P 2SB1308T100Q 2SB1308T100R 2SB1316TL 2SB1320A0A 2SB1321A0A 2SB1322A0A 2SB1326TV2Q 2SB1326TV2R