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2SB1427T101E

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2SB1427T101E 技术参数
  • 2SB1427T100E 功能描述:TRANS PNP 20V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):390 @ 500mA,6V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:90MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1424T100R 功能描述:TRANS PNP 20V 3A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:240MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1424T100Q 功能描述:TRANS PNP 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:240MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1420 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 16A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):16A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 16mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 8A,4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,020 2SB1418AQA 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 2A MT-4 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2.5V @ 8mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-4-A1 标准包装:1 2SB1457(T6CNO,A,F) 2SB1457(T6DW,F,M) 2SB1457(TE6,F,M) 2SB1457,T6TOTOF(J 2SB1457,T6YMEF(M 2SB1462G0L 2SB1462J0L 2SB1463GRL 2SB1463JRL 2SB1474TL 2SB1481(TOJS,Q,M) 2SB14880PA 2SB1495,Q(J 2SB1495,Q(M 2SB15040QA 2SB15040RA 2SB1548AP 2SB1559
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