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2SB315A-2MBI800U4G-170

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 5500

  • CONCEPT

  • IGBT

  • 23+

  • -
  • 原厂原装正品现货

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  • 深圳市德江源电子有限公司
    深圳市德江源电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:8296641615986789713

    地址:深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室

    资质:营业执照

  • 500

  • CONCEPT

  • IGBT

  • 19+

  • -
  • 只做原装,假一赔十

  • 2SB315A-2MBI800U4G-170
    2SB315A-2MBI800U4G-170

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  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 1000

  • POWER

  • IGBT

  • 20+

  • -
  • 专营POWER全系列现货

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    2SB315A-2MBI800U4G-170

    2SB315A-2MBI800U4G-170

  • 深圳市华盛锦科技有限公司
    深圳市华盛锦科技有限公司

    联系人:雷小姐

    电话:0755-2391507123915070(承诺只售原装正品,终端BOM配单一站式服务)

    地址:华强街道赛格广场55楼5566室

    资质:营业执照

  • 22530

  • CONCEPT

  • IGBT

  • 2020+

  • -
  • ★★★真实库存,假一赔十,原厂授权★★★

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
2SB315A-2MBI800U4G-170 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOD GATE DVR 2MBI800U4G-170
  • 制造商
  • power integrations
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2SB315A-2MBI800U4G-170 技术参数
  • 2SB315A-2MBI800U4G-120 功能描述:MOD GATE DVR 2MBI800U4G-120 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:最後搶購 标准包装:2 2SB315A-2MBI1200U4G-170 功能描述:MOD GATE DVR 2MBI1200U4G-170 制造商:power integrations 系列:* 零件状态:最後搶購 标准包装:2 2SB1733TL 功能描述:TRANS PNP 30V 1A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:TUMT3 标准包装:1 2SB1732TL 功能描述:TRANS PNP 12V 1.5A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:TUMT3 标准包装:1 2SB1731TL 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):370mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:280MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:TUMT3 标准包装:1 2SB315B-2MBI1200U4G-170 2SB315B-2MBI800U4G-120 2SB315B-2MBI800U4G-170 2SB315B-2MBI800VT-170E 2SB315B-5SND0800M170100 2SB315B-CM1200DC-34N 2SB315B-CM800DZ-34H 2SB315B-DIM800DDM12-A000 2SB315B-FF1200R17KE3_B2 2SB315B-FF800R12KE3 2SB315B-FF800R17KF6 2SB315B-FF800R17KP4_B2 2SB772 2SB815-6-TB-E 2SB815-7-TB-E 2SB817C-1E 2SB852KT146B 2SB906-Y(TE16L1,NQ
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