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2SC2814F5-TB
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
N/A
全新原装现货库存
03+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SC2814F5-TB
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
25293
SAYNO
SOT-23
21+
-
原厂原装现货

2SC2814F5-TB
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
原装SANYO
SOT23
22+
-
全新原装现货供应

2SC2814F5-TB
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SANYO
SOT23-3
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SC2814F5-TB
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
SANYO/三洋
SOT23
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SC2814F5-TB
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
SANYO/三洋
SOT23
23+
-
原装正品欢迎咨询

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2SC2814F5-TB 技术参数

2SC2814-4-TB-E 功能描述:TRANS NPN 20V 30MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:320MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:3dB @ 100MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 1mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SC2812N6-TB-E 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:135 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SC2812N6-CPA-TB-E 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 2SC27780CL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 30MA MINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:230MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 1mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SC2714-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:550MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SC2988 2SC3063 2SC3074-O(Q) 2SC3074-Y(Q) 2SC31300QL 2SC3138-Y(TE85L,F) 2SC3225,T6ALPSF(M 2SC3263 2SC3264 2SC3265-Y,LF 2SC3284 2SC3311A0A 2SC3311AQA 2SC3311ARA 2SC3311ASA 2SC33120RA 2SC3324-BL(TE85L,F 2SC3324GRTE85LF

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