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  • 2SC3356-R25-R24

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2SC3356-R25-R24技术参数

2SC3356S 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 2SC3356-T1B 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:2SC3356-T1B 2SC3356-T1B-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF TRANSISTOR 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin Mini-Mold T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF Transistor, NPN,12V,0.1A,MiniMold3 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin Mini-Mold T/R 2SC3356-T1B-A (S) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:REN2SC3356-T1B-A (S) NPN SMALL SIGNAL LN 2SC3356-T1B-A(Q) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN 2SC3356-T1B-A(R) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN 2SC3356-T1B-A(S) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN 2SC3356-T1B-R 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:UHF BAND, SI, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 2SC3356-T1B-A 2SC3356-T1B-R24-A 2SC3356-T1B-R25-A 2SC3357-A 2SC3357-T1-A 2SC3357-T1-RF-A 2SC3415STPN 2SC3415STPP 2SC3503CSTU 2SC3503DSTU 2SC3503ESTU 2SC3503FSTU 2SC3506 2SC3507 2SC3519 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A