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2SC3356-T2B

配单专家企业名单
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  • 2SC3356-T2B/R25
    2SC3356-T2B/R25

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 3680

  • NEC

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  • 20+

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  • 自库存,欢迎咨询

  • 2SC3356-T2B
    2SC3356-T2B

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 23550

  • NEC

  • SOT23

  • 04+

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  • 全新原装现货

  • 2SC3356-T2B
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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 17338

  • RENESAS/瑞萨

  • SOT-23

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • 2SC3356-T2B
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • NEC

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  • 09/10+

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2SC3356-T2B
    2SC3356-T2B

    2SC3356-T2B

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • NEC

  • SOT23

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SC3356-T2B
    2SC3356-T2B

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NEC

  • Sot-23

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  • 2SC3356-T2B
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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-8378920313332987005

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  • 36200

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  • 2SC3356-T2B
    2SC3356-T2B

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 2SC3356-T2B
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  • 深圳市华金瑞电子有限公司
    深圳市华金瑞电子有限公司

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  • 300

  • NEC

  • SOT-23

  • 0628+

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  • 制造商
  • NEC Electronics Corporation
  • 功能描述
  • 制造商
  • NEC Electronics Corporation
  • 功能描述
  • UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3356-T2B 技术参数
  • 2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2SC3356-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2SC3356-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC3332T-AA 功能描述:TRANS NPN 160V 0.7A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 25mA,250mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:700mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:3-NP 标准包装:1 2SC3506 2SC3507 2SC3519 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E
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