2SC5012-T1 （R37）

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2SC5012-T1 （R37）技术参数

2SC5012-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5011-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 2SC5011-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5010-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:8.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 标准包装:1 2SC5010-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-523 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:8.5dB 功率 - 最大值:125mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5060TV2M 2SC5065-O(TE85L,F) 2SC5065-Y(TE85L,F) 2SC5066-O,LF 2SC5066-Y,LF 2SC5071 2SC5084-O(TE85L,F) 2SC5084YTE85LF 2SC5085-O(TE85L,F) 2SC5085-Y(TE85L,F) 2SC5086-O,LF 2SC5086-Y,LF 2SC5087-O(TE85L,F) 2SC5087R(TE85L,F) 2SC5087YTE85LF 2SC5088-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F)