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2SC6126

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  • 2SC6126(TE12L,ZF)
    2SC6126(TE12L,ZF)

    2SC6126(TE12L,ZF)

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 715

  • TOSHIBA

  • 2013

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • 2SC6126
    2SC6126

    2SC6126

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • TOSHIBA

  • SOT-89

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 2SC6126(TE12LZF)
    2SC6126(TE12LZF)

    2SC6126(TE12LZF)

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3090

  • TOSHIBA

  • SOT-89

  • 2231+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • 2SC6126
    2SC6126

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • TOSHIBA

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

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  • 制造商
  • TOSHIBA
  • 制造商全称
  • Toshiba Semiconductor
  • 功能描述
  • High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications LCD Backlighting Applications
2SC6126 技术参数
  • 2SC6114T2LR 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A VMN3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-72 成形引线 供应商器件封装:VMN3 标准包装:8,000 2SC6114T2LQ 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A VMN3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-72 成形引线 供应商器件封装:VMN3 标准包装:8,000 2SC6099-TL-E 功能描述:TRANS NPN 100V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):165mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:1 2SC6099-E 功能描述:TRANS NPN 100V 2A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):165mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SC6098-TL-E 功能描述:TRANS NPN 80V 2.5A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):165mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:350MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SCR346PT100Q 2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100R 2SCR372PT100Q 2SCR372PT100R 2SCR375P5T100Q 2SCR375P5T100R 2SCR502EBTL 2SCR502UBTL 2SCR512P5T100 2SCR512PFRAT100 2SCR512PT100 2SCR512RTL 2SCR513P5T100 2SCR513PFRAT100 2SCR513PT100 2SCR514P5T100 2SCR514PFRAT100
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