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2SC945G-P

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2SC945G-P 技术参数
  • 2SC6145A 功能描述:TRANS NPN 260V 15A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):260V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,4V 功率 - 最大值:160W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SC6145 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,4V 功率 - 最大值:160W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SC6144SG 功能描述:TRANS NPN 50V 10A TO220F-3FS 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):360mV @ 300mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 270mA,2V 功率 - 最大值:25W 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F-3FS 标准包装:50 2SC6144 功能描述:TRANS NPN 50V 10A TO-220ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):360mV @ 300mA,6A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 270mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SC6139,T2F(M 功能描述:TRANS NPN 1.5A 160V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 2SCR375P5T100Q 2SCR375P5T100R 2SCR502EBTL 2SCR502UBTL 2SCR512P5T100 2SCR512PFRAT100 2SCR512PT100 2SCR512RTL 2SCR513P5T100 2SCR513PFRAT100 2SCR513PT100 2SCR514P5T100 2SCR514PFRAT100 2SCR514PT100 2SCR514RTL 2SCR522EBTL 2SCR522MT2L 2SCR522UBTL
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