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2SCR341QTRQ

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2SCR341QTRQ 技术参数
  • 2SCR293PT100 功能描述:TRANS NPN 30V 1A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SCR293PFRAT100 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SCR293P5T100 功能描述:NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SC6145A 功能描述:TRANS NPN 260V 15A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):260V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,4V 功率 - 最大值:160W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SC6145 功能描述:TRANS NPN 230V 15A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,4V 功率 - 最大值:160W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SCR502UBTL 2SCR512P5T100 2SCR512PFRAT100 2SCR512PT100 2SCR512RTL 2SCR513P5T100 2SCR513PFRAT100 2SCR513PT100 2SCR514P5T100 2SCR514PFRAT100 2SCR514PT100 2SCR514RTL 2SCR522EBTL 2SCR522MT2L 2SCR522UBTL 2SCR523EBTL 2SCR523MT2L 2SCR523UBTL
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