2SD21360RA

配单专家企业名单

型号
供应商
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厂商
封装
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价格
说明
操作

2SD21360RA
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2900
PANASONIC
ROHS
1315+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

2SD21360RA
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2850
PANASONIC
ROHS
201333
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

2SD21360RA
深圳市企诺德电子有限公司
深圳市企诺德电子有限公司
联系人：胡
电话：13480313979
地址：深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB
资质：营业执照
15000
PANASONICASO
N/A
22+
-
原装正品专业BOM配单

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功能描述
TRANS NPN 60VCEO 3A MT-3
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列
-
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
200mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
300 @ 500mA，5V
功率 - 最大
710mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
Digi-Reel®
其它名称
MMBT489LT1GOSDKR

2SD21360RA 技术参数

2SD21360QA 功能描述:TRANS NPN 60V 3A MT-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:300μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 1A，4V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:220MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-3-A1 标准包装:1 2SD21340RA 功能描述:TRANS NPN 150V 1A MT-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-3-A1 标准包装:1 2SD21330SA 功能描述:TRANS NPN 50V 1A MT-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:170 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-3-A1 标准包装:1 2SD21330RA 功能描述:TRANS NPN 50V 1A MT-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-3-A1 标准包装:1 2SD2129,LS4ALPSQ(M 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SD2144STPW 2SD2150T100R 2SD2150T100S 2SD2153T100U 2SD2153T100V 2SD2153T100W 2SD2167T100P 2SD2170T100 2SD217700A 2SD21770SA 2SD2177A0A 2SD21780RA 2SD21780SA 2SD21790RA 2SD21840RA 2SD21850RL 2SD2185GRL 2SD2195T100