2SD2143/

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2SD2143/ 技术参数

2SD2142KT146 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD2141 功能描述:TRANS NPN DARL 380V 6A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:380V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 20mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1500 @ 3A，2V 功率 - 最大值:35W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SD21390PA 功能描述:TRANS NPN 60V 3A MT-4 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:800 @ 500mA，4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-4-A1 标准包装:1 2SD2138AQA 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 8mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，4V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-4-A1 标准包装:1 2SD2138APA 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 8mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4000 @ 2A，4V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-4-A1 标准包装:1 2SD2167T100P 2SD2170T100 2SD217700A 2SD21770SA 2SD2177A0A 2SD21780RA 2SD21780SA 2SD21790RA 2SD21840RA 2SD21850RL 2SD2185GRL 2SD2195T100 2SD2206(T6CANO,F,M 2SD2206(T6CNO,A,F) 2SD2206(TE6,F,M) 2SD2206,T6F(J 2SD2206A(T6SEP,F,M 2SD22100RL