2SD2177STA

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2SD2177STA 技术参数

2SD2177A0A 功能描述:TRANS NPN 60V 2A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD21770SA 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:170 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD217700A 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD2170T100 功能描述:TRANS NPN DARL 90V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:90V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD2167T100P 功能描述:TRANS NPN 31V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:31V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD2206(TE6,F,M) 2SD2206,T6F(J 2SD2206A(T6SEP,F,M 2SD22100RL 2SD2211T100Q 2SD2211T100R 2SD2212T100 2SD2216G0L 2SD2216J0L 2SD22200RA 2SD22250RA 2SD2226KT146V 2SD2226KT146W 2SD2227STPW 2SD2240JRL 2SD22420PA 2SD22490RA 2SD2257(CANO,A,Q)