2SD2704K+T146

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2SD2704K+T146 技术参数

2SD2703TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:TUMT3 标准包装:1 2SD2702TL 功能描述:TRANS NPN 12V 1.5A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:TUMT3 标准包装:1 2SD2701TL 功能描述:TRANS NPN 12V 2A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:TUMT3 标准包装:1 2SD2700TL 功能描述:TRANS NPN 12V 2A TUMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:180mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:360MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:TUMT3 标准包装:1 2SD2696T2L 功能描述:TRANS NPN 30V 0.4A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VMT3 标准包装:1 2SD315AI-25 2SD315AI-33 2SD316EI-12 2SD316EI-17 2SD882 2SE156-3 2SE157-3 2SE321 2SE323 2SE6 2SE62 2SE89 2SEPC1000MX 2SEPC1000MX+S 2SEPC100MZ 2SEPC100MZ+TSS 2SEPC2700M 2SEPC2700M+T