2SK2394-7-DLP-TB-E

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2SK2394-7-DLP-TB-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
105300
SANYO
SOT-23
08+pbfree
-
全新原装现货

2SK2394-7-DLP-TB-E
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
9000
SANYO/三洋
SOT-23
21+
-
原厂原装现货

2SK2394-7-DLP-TB-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SANYO
SOT-23
最新批号
-
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2SK2394-7-DLP-TB-E 技术参数

2SK2394-6-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:10mA @ 5V 漏极电流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:300mV @ 100μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 5V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:200mW 标准包装:3,000 2SK23800QL 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:50μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:1.3V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F2 功率 - 最大值:125mW 标准包装:3,000 2SK2376(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3350pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:50 2SK2315TYTR-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:173pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:UPAK 标准包装:1,000 2SK2299N 功能描述:MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:450V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 欧姆 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:870pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FN 标准包装:500 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q)