2SK301Q/R

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2SK301Q/R
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
18+
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原装现货，优势供应

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2SK301Q/R 技术参数

2SK3019-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-523 封装/外壳:SOT-523 标准包装:1 2SK3019TL 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标准包装:1 2SK3018-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 2SK3018T106 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 5V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SK3004 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1,000 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q)