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2SK3025U0L

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • Panasonic

  • TO-252

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2SK3025U0L 技术参数
  • 2SK302500L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 10V 功率 - 最大值:25W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:U-G2 供应商器件封装:U-DL 标准包装:1 2SK302200L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):220pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:U-G2 标准包装:1 2SK3019-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TA) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-523 封装/外壳:SOT-523 标准包装:1 2SK3019TL 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):13pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标准包装:1 2SK3018-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):200mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-323 封装/外壳:SC-70,SOT-323 标准包装:1 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318
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