2SK3076_代理商_批发/采购【买卖IC网】2SK3076

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK3076
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
H
TO-252
22+
-
十年配单，只做原装

2SK3076(L,S)
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
日立
TO-262/263
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK3076
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
TO-263
04+
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

2SK3076
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
联系人：朱先生
电话：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田区上步工业区405栋607室柜台号新亚洲二期N2B227
50000
国产替代
TO251
2023+
-
长期现货价格最低

2SK3076
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
1723
HIT
TO-262/263
2024+
-
代理商库房现货

2SK3076
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
HITACHI
TO-251252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
HITACHI
制造商全称
Hitachi Semiconductor
功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3076 技术参数

2SK3075(TE12L,Q) 功能描述:MOSF RF N CH 30V 5A PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:N 通道频率:520MHz 增益:11.7dB 电压 - 测试:9.6V 额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:7.5W 电压 - 额定:30V 封装/外壳:TO-271AA 供应商器件封装:PW-X 标准包装:1 2SK3074TE12LF 功能描述:MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:N 通道频率:520MHz 增益:14.9dB 电压 - 测试:9.6V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:630mW 电压 - 额定:30V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SC-62 标准包装:1 2SK3068(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2040pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-220SM 标准包装:1,000 2SK3065T100 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:160pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SK3064G0L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 10mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL

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