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2SK3202

配单专家企业名单
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  • 2SK3202
    2SK3202

    2SK3202

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • NEC

  • SOT-252

  • 04+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2SK320200L
    2SK320200L

    2SK320200L

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 3000

  • PANASONIC

  • SOT-252

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品

  • 2SK320200L
    2SK320200L

    2SK320200L

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 15000

  • PANASONIC

  • TO-252D-PAK

  • 05+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SK3202
    2SK3202

    2SK3202

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • NEC

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1/1页 40条/页 共22条 
  • 1
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2SK3202 技术参数
  • 2SK3199 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):650pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:1,000 2SK3132(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):95 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11000pF @ 10V 功率 - 最大值:250W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3PL 供应商器件封装:TO-3P(L) 标准包装:25 2SK3128(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P(N) 标准包装:50 2SK3127(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):45A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-220SM 标准包装:3,000 2SK3079ATE12LQ 功能描述:MOSF RF N CH 10V PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:N 通道 频率:470MHz 增益:13.5dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:33.5dBmW 电压 - 额定:10V 封装/外壳:TO-271AA 供应商器件封装:PW-X 标准包装:1 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q)
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