2SK3521-01S-TE24R_代理商_批发/采购【买卖IC网】2SK3521-01S-TE24R

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK3521-01S-TE24R
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
FUJITSU/富士通
TO-263
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SK3521-01S-TE24R
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
24340
FUJITSU/富士通
TO-263
21+
-
原厂原装现货

2SK3521-01S-TE24R
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
19000
FUJITSU
T-PACK263
05+
-
全新原装现货

2SK3521-01S-TE24R
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
3800
FUJITSU
T-pack263
2012+
-
只做原装正品

2SK3521-01S-TE24R
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
4536
FUJITSU
T-pack263
1301+
-
原装现货/特价

1/1页 40条/页共20条
1

您是不是要找： 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E

2SK3521-01S-TE24R PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK3521-01S-TE24R 技术参数

2SK3484-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251（MP-3）标准包装:1 2SK3483-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:49nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251（MP-3）标准包装:1 2SK3482-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3600pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251（MP-3）标准包装:1 2SK3481-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:200 2SK3480-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:31 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:1 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E