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2SK3541SPT

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  • 2SK3541SPT
    2SK3541SPT

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • CHENMKO

  • SOT-363

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 2SK3541SPT
    2SK3541SPT

    2SK3541SPT

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 12500

  • CHENMKO

  • SOT363

  • 06+pbf

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SK3541SPT
    2SK3541SPT

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • CHENMKO

  • SOT363

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK3541SPT
    2SK3541SPT

    2SK3541SPT

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 18930

  • CHENMKO

  • SC-88

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品

  • 2SK3541SPT
    2SK3541SPT

    2SK3541SPT

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • CHENMKO

  • SOT363

  • 最新批号

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2SK3541SPT 技术参数
  • 2SK3539G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 欧姆 @ 10mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SK353900L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 欧姆 @ 10mA,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SK3484-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251(MP-3) 标准包装:1 2SK3483-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):49nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251(MP-3) 标准包装:1 2SK3482-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 18A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3600pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TO-251(MP-3) 标准包装:1 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709
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