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2SK3796-2-TL-E

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  • 2SK3796-2-TL-E
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    2SK3796-2-TL-E

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ON SEMICO

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:史仙雁

    电话:19129911934(手机优先微信同号)0755-82813018

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

  • 3200

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 1308+

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 6755

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 201321

  • -
  • 原装正品,现货库存。400-800-03...

  • 2SK3796-2-TL-E
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • ON Semiconductor

  • SMCP

  • 17+

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  • 全新原装现货

  • 2SK3796-2-TL-E
    2SK3796-2-TL-E

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • 功能描述
  • JFET NCH J-FET
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss)
  • 50 mA
  • 漏源电压 VDS
  • 15 V
  • 闸/源击穿电压
  • 漏极连续电流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安装风格
  • 封装 / 箱体
  • SC-59
  • 封装
  • Reel
2SK3796-2-TL-E 技术参数
  • 2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):125 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:TO-220 隔离的标片 标准包装:200 2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:N 通道 频率:470MHz 增益:12dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:32dBm 电压 - 额定:7.5V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SC-62 标准包装:1 2SK3748-1E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-2PF-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-94 供应商器件封装:TO-3PF-3 标准包装:30 2SK3748 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PML 标准包装:100 2SK3747-MG8 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 30V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PML 标准包装:25 2SK3816-DL-E 2SK3817-DL-E 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q)
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