2SK380_代理商_批发/采购【买卖IC网】2SK380

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2SK3800
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
5000
sanken(三肯)
TO220S
0926+
-
专业分销sanken(三肯)，15810...

2SK3804-01S
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
FUJITSU/富士通
TO-263
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SK3804-01S
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
13144
FUJITSU
TO-263
21+
-
原厂原装现货

2SK3800
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Sanken
TO-220S
17+
-
全新原装现货

2SK3800
林沃田信息技术(深圳)有限公司
林沃田信息技术(深圳)有限公司
联系人：岳先生田小姐
电话：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田区福田街道福南社区深南中路 3037号南光捷佳大厦2906
资质：营业执照
165000
Sanken
19+
-
原装正品现货有货

2SK380
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
4250
isc,iscsemi
TO-3
2024+
-
国产品牌，可替代原装

2SK3800VL-RP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
RENESAS
TO263
10+
-
全新原装现货

2SK3800
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
SANKEN
TO220S
22+
-
十年配单，只做原装

2SK380
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
88000
MAT
TO-3
2024+
-
不怕你不买只怕你不问

2SK3800
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SANKEN
TO220S
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK3800
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
84000
SANKEN
TO-263
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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2SK380 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SK380 技术参数

2SK3796-4-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.5mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:3,000 2SK3796-3-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3796-2-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:600μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:200 欧姆安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 功率 - 最大值:100mW 标准包装:3,000 2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 隔离片供应商器件封装:TO-220 隔离的标片标准包装:200 2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:N 通道频率:470MHz 增益:12dB 电压 - 测试:4.5V 额定电流:1A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA 功率 - 输出:32dBm 电压 - 额定:7.5V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SC-62 标准包装:1 2SK3820-DL-1E 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q) 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS

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