2SK3812-ZP-E1-A

配单专家企业名单

型号
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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

2SK3812-ZP-E1-AZ
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
29196
RENESAS
TO-263
21+
-
原厂原装现货

2SK3812-ZP-E1-AY
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
Renesas
原厂原装
1645+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

2SK3812-ZP-E1-AZ
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
RENESAS
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

2SK3812-ZP-E1-AY
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Renesas
MP-25ZPTO-263
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

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1

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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述

2SK3812-ZP-E1-A 技术参数

2SK3811-ZP-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 55A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17700pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263 标准包装:1 2SK3801 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5100pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,000 2SK3800VR 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-220S 标准包装:1,000 2SK3800VL 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-220S 标准包装:1,000 2SK3800 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220S 制造商:sanken 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:新产品 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 35A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5100pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-220S 标准包装:1,000 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q) 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E