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配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK3845
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
7866
TOS
TO-3P
10+
-
绝对公司原装现货

2SK3845
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
32365
TOSHIBA/东芝
TO-3P(N)
21+
-
原厂原装现货

2SK3845(Q)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
38
TOSHIBA
2009
-
公司现货!只做原装!

2SK3845
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
6750
isc,iscsemi
TO-3PN
2024+
-
国产品牌，可替代原装

2SK3845
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TOSHIBA
TO247
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK3845(Q)
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
210
TOSHIBA
1521+
-
全新原装现货

2SK3845
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
TOS
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK3845
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
TOSHIBA
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

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2SK3845 技术参数

2SK3844(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.8 毫欧 @ 23A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:196nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12400pF @ 10V 功率 - 最大值:45W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SK3827 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:79nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:100 2SK3826 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2150pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:100 2SK3824 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:100 2SK3823 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:27.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1780pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:100 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS