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2SK4057-ZK-E2

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  • 2SK4057-ZK-E2
    2SK4057-ZK-E2

    2SK4057-ZK-E2

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • NEC

  • SOT-252

  • 09+

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • 2SK4057-ZK-E2-AY
    2SK4057-ZK-E2-AY

    2SK4057-ZK-E2-AY

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • R

  • TO-252

  • 22+

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  • 十年配单,只做原装

  • 2SK4057-ZK-E2-AY
    2SK4057-ZK-E2-AY

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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2SK4057-ZK-E2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
2SK4057-ZK-E2 技术参数
  • 2SK4043LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 10A,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):37nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3000pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FI(LS) 标准包装:100 2SK4037(TE12L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:N 通道 频率:470MHz 增益:11.5dB 电压 - 测试:6V 额定电流:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA 功率 - 输出:36.5dBmW 电压 - 额定:12V 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 2SK4021(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:PW-MOLD2 标准包装:200 2SK4017(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):730pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:PW-MOLD2 标准包装:200 2SK4016(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):500 毫欧 @ 6.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3100pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS
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