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2SK709

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  • 2SK709-V(F)
    2SK709-V(F)

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • TO92

  • 最新批号

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  • 制造商
  • TOSHIBA
  • 制造商全称
  • Toshiba Semiconductor
  • 功能描述
  • N CHANNEL JUNCTION TYPE (HIGH, AM HIGH, AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SK709 技术参数
  • 2SK669-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 欧姆 @ 10mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:2,500 2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):210μA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4.1pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):150μA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4.1pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:生命周期结束 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):100μA @ 5V 漏极电流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):500mV @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4.1pF @ 5V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 标准包装:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):60μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:1mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 1μA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1.7pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 功率 - 最大值:125mW 标准包装:3,000 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01
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