2VB3

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2VB3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

2VB3
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
1600
原厂原装
原厂原装
24+
-
授权代理商

2VB3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TEConnect
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2VB3
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1307
TE Connectivity Corcom Fi
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存

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1

您是不是要找： 2VE-10CA2-13 2VE-10N 2VK1 2VK3 2VR1 2VR3 2W005G 2W005G-E4/51 2W005M

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功能描述
电源线滤波器 2A WIRE LEADS FLANGE MOUNT
RoHS
否
制造商
EPCOS
电压额定值
277 VAC
电流额定值
100 A
安装风格
Chassis
端接类型
Screw

2VB3 技术参数

2VB1 功能描述:FILTER LINE FAST TERM 2A 制造商:te connectivity corcom filters 系列:B 零件状态:有效滤波器类型:单相配置:单级电压 - 额定 DC:- 电压 - 额定 AC:250V 电压 - 额定 AC（相对地/相对中性点）:- 电压 - 额定 AC（相对相）:- 电流:2A 频率 - 工作:50/60Hz 应用:通用认可:CSA，UR，VDE 工作温度:-10°C ~ 40°C 安装类型:底座安装端子类型:快速连接电感:539μH 标准包装:56 2V7002WT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:310mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3（SOT323）标准包装:1 2V7002LT3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V .115A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 2V7002LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）标准包装:1 2V7002KT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2W01G 2W01G-E4/51 2W01M 2W02G 2W02G-E4/51 2W02M 2W04G 2W04G-E4/51 2W04M 2W06G 2W06G-E4/51 2W06M 2W08G 2W08G-E4/51 2W08M 2W10G 2W10G-E4/51 2W10M