3LP03S-TL-E

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

3LP03S-TL-E
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
23858
SANYO/三洋
SOT-523
21+
-
原厂原装现货

3LP03S-TL-E
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
72540
SANYO
SMCP
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

3LP03S-TL-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SANYO
SMCP
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

3LP03S-TL-E
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
7600
SANYO
SOT23
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ:16...

3LP03S-TL-E
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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1

您是不是要找： 3M 1046 0.5" X 60YDS 3M 1093 1/2" X 36YD 3M 1093 3/4" X 36YD 3M 1120 0.5"SQ-250 3M 1120 0.75"SQ-250 3M 1120 1" X 2"-100 3M 1120 1" X 3"-100 3M 1120 1" X 4"-100 3M 1120 1"SQ-250

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制造商
SANYO
功能描述
Pch 30V 0.25A rlbo Tape & Reel
制造商
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述
MOSFET P CH 30V 0.25A SOT89
制造商
Sanyo
功能描述
0

3LP03S-TL-E 技术参数

3LP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.4 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:1 3LP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.4 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:8,000 3LP01SS-TL-EX 功能描述:MOSFET P-CH 30V SOT-623 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.43nC @ 10V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7.5pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.4 欧姆 @ 50mA，4V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:3-SSFP 封装/外壳:SC-81 标准包装:8,000 3LP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.4 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.5pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-81 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:1 3LP01S-K-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:3,000 3M 1120 1.5"SQ-100 3M 1120 1/2" X 2"-100 3M 1120 1/2" X 3"-100 3M 1120 1/2" X 4"-100 3M 1120 2"SQ-100 3M 1120 3/4" X 2"-100 3M 1120 3/4" X 3"-100 3M 1120 3/4" X 4"-100 3M 1120 CIRCLE-0.5"-250 3M 1120 CIRCLE-0.75"-250 3M 1120 CIRCLE-1"-250 3M 1120 CIRCLE-1.5"-100 3M 1120 CIRCLE-2"-100 3M 1125 0.5"SQ-250 3M 1125 0.75"SQ-250 3M 1125 1" X 2"-100 3M 1125 1" X 3"-100 3M 1125 1" X 4"-100