3SK3520-01MR

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说明
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3SK3520-01MR
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
FUJITSU/富士通
TO-220F
22+
-
十年配单，只做原装

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3SK3520-01MR 技术参数

3SK294(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 500MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:500MHz 增益:26dB 电压 - 测试:6V 额定电流:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 3SK293(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 800MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:800MHz 增益:22dB 电压 - 测试:6V 额定电流:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 3SK292(TE85R,F) 功能描述:MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:500MHz 增益:26dB 电压 - 测试:6V 额定电流:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SMQ 标准包装:1 3SK291(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:800MHz 增益:22.5dB 电压 - 测试:6V 额定电流:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SMQ 标准包装:1 3SK264-5-TG-E 功能描述:FET RF 15V 200MHZ CP4 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:N 通道双门频率:200MHz 增益:23dB 电压 - 测试:6V 额定电流:30mA 噪声系数:2.2dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:15V 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:4-CP 标准包装:1 3SMAJ5917B-TP 3SMAJ5918B-TP 3SMAJ5919B-TP 3SMAJ5920B-TP 3SMAJ5921B-TP 3SMAJ5922B-TP 3SMAJ5923B-TP 3SMAJ5924B-TP 3SMAJ5925B-TP 3SMAJ5926B-TP 3SMAJ5927B-TP 3SMAJ5928B-TP 3SMAJ5929B-TP 3SMAJ5930B-TP 3SMAJ5931B-TP 3SMAJ5932B-TP 3SMAJ5933B-TP 3SMAJ5934B-TP