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5HN02M-TL-E

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

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5HN02M-TL-E 技术参数
  • 5HN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:3,000 5HN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMD 制造商:on semiconductor 系列:* 零件状态:Not Recommended For New Designs 标准包装:8,000 5HN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件状态:有效 标准包装:8,000 5HN01M-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 5HN01M-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:3-MCP 标准包装:3,000 5HQ221JBFAA 5HT 1 5HT 1.25 5HT 1.25-R 5HT 1.6 5HT 1.6-R 5HT 10 5HT 100-R 5HT 10-R 5HT 1-R 5HT 2 5HT 2.5 5HT 2.5-R 5HT 200-R 5HT 250-R 5HT 2-R 5HT 3.15 5HT 3.15-R
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