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5KP75AH41

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5KP75AH41 技术参数
  • 5KP75A-G 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC R6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):75V 电压 - 击穿(最小值):83.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):41.32A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:R6,轴向 供应商器件封装:R-6 标准包装:250 5KP75AE3/TR13 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC P600 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):75V 电压 - 击穿(最小值):83.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):41.3A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:500 5KP75A-E3/73 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC P600 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TransZorb? 包装:带盒(TB) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):75V 电压 - 击穿(最小值):83.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):41.3A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:300 5KP75A-E3/54 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC P600 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TransZorb? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):75V 电压 - 击穿(最小值):83.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):41.3A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:1 5KP75A-E3/51 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC P600 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:TransZorb? 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):75V 电压 - 击穿(最小值):83.3V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):41.3A 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:P600,轴向 供应商器件封装:P600 标准包装:750 5KP75CAE3/TR13 5KP75CA-G 5KP75CA-HR 5KP75CA-HRA 5KP75CA-TP 5KP75C-B 5KP75CE3/TR13 5KP75-E3/54 5KP75-E3/73 5KP75E3/TR13 5KP75HE3/54 5KP75HE3/73 5KP78 5KP78A 5KP78A-B 5KP78A-E3/51 5KP78A-E3/54 5KP78A-E3/73
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