5LP01C-TB-H

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说明
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5LP01C-TB-H
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
3-CP
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET NCH 1.5V DRIVE SERIES
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

5LP01C-TB-H 技术参数

5LP01C-TB-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 欧姆 @ 40mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 5LN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:3,000 5LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，扁平引线供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LN01SP-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.8 欧姆 @ 50mA，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-72 供应商器件封装:3-SPA 标准包装:1 5LPCV2415 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2