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5LP01M-TL-E

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 5LP01M-TL-E
    5LP01M-TL-E

    5LP01M-TL-E

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 72540

  • SANYO

  • MCP

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • 5LP01M-TL-E
    5LP01M-TL-E

    5LP01M-TL-E

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • ON Semiconductor

  • 3-MCP

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 5LP01M-TL-E
    5LP01M-TL-E

    5LP01M-TL-E

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SANYO

  • MCP

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号.原装正品现货!

  • 5LP01M-TL-E
    5LP01M-TL-E

    5LP01M-TL-E

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • 5LP01M-TL-E
    5LP01M-TL-E

    5LP01M-TL-E

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • SANYO

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 专业BOM配单

  • 1/1页 40条/页 共10条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
5LP01M-TL-E 技术参数
  • 5LP01C-TB-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 欧姆 @ 40mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 5LP01C-TB-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):70mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 欧姆 @ 40mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):7.4pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:3,000 5LN01S-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:生命周期结束 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 欧姆 @ 50mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标准包装:3,000 5LN01SS-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 欧姆 @ 50mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LN01SS-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 欧姆 @ 50mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6.6pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 5LPCV2425 5LPCV2440 5LPCV2475 5M1010B 5M1010B-2 5M1010B-3 5M1010BCT 5M1010BCT-2 5M1010BCT-3 5M1020B 5M1020B-2 5M1020B-3 5M1020BCT 5M1020BCT-2 5M1020BCT-3 5M1210B 5M1210B-2 5M1210B-3
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