60J+

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60J+ 技术参数

60HQ100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 60A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:890mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.5mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:1400pF @ 5V，1MHz 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 60HFUR-600 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 60A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:80ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-40°C ~ 125°C 标准包装:100 60HFUR-500 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 60A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:80ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 500V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-40°C ~ 125°C 标准包装:100 60HFUR-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 60A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:80ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-40°C ~ 125°C 标准包装:100 60HFUR-300 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 60A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:60A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:80ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 300V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-40°C ~ 125°C 标准包装:100 60M1010B 60M1010B-2 60M1010B-3 60M1010BCT 60M1010BCT-2 60M1010BCT-3 60M1020B 60M1020B-2 60M1020B-3 60M1020BCT 60M1020BCT-2 60M1020BCT-3 60M1210B 60M1210B-2 60M1210B-3 60M1210BCT 60M1210BCT-2 60M1210BCT-3