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64406-510-060 K-KE-20-BONE

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  • 64406-510-060 K-KE-20-BONE
    64406-510-060 K-KE-20-BONE

    64406-510-060 K-KE-20-BONE

  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石

    资质:营业执照

  • 566

  • PacTec

  • 标准封装

  • 23+

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64406-510-060 K-KE-20-BONE PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 罩类、盒类及壳类产品 KIT 20.08X8.68X2.79
  • RoHS
  • 制造商
  • Bud Industries
  • 产品
  • Boxes
  • 外部深度
  • 6.35 mm
  • 外部宽度
  • 6.35 mm
  • 外部高度
  • 2.56 mm
  • NEMA 额定值
  • IP 等级
  • 材料
  • Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS)
  • 颜色
  • Red
64406-510-060 K-KE-20-BONE 技术参数
  • 644062-5 功能描述:5 位 接头,无罩 连接器 0.156"(3.96mm) 通孔,直角 锡 制造商:te connectivity amp connectors 系列:MTA-156 包装:散装 零件状态:过期 触头类型:公形引脚 连接器类型:接头,无罩 针脚数:5 加载的针脚数:2 间距:0.156"(3.96mm) 排数:1 排距:- 触头配接长度:0.400"(10.16mm) 安装类型:通孔,直角 端接:焊接 紧固类型:摩擦锁 特性:- 触头镀层:锡 触头镀层厚度:- 颜色:自然色 标准包装:1 64-4059PBF 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 42A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1510pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 644051-3 功能描述:19 位 接头,无罩 连接器 0.156"(3.96mm) 通孔 锡 制造商:te connectivity amp connectors 系列:MTA-156 包装:散装 零件状态:有效 触头类型:公形引脚 连接器类型:接头,无罩 针脚数:19 加载的针脚数:18 间距:0.156"(3.96mm) 排数:1 排距:- 触头配接长度:0.400"(10.16mm) 安装类型:通孔 端接:焊接 紧固类型:- 特性:- 触头镀层:锡 触头镀层厚度:- 颜色:自然色 标准包装:5,000 64-4051 功能描述:MOSFET N-CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):58 毫欧 @ 9.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 64-4047PBF 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 8.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):810pF @ 25V 功率 - 最大值:144W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 6441 644101-7 644151-9 644168-1 644168-9 644177-2 644178-1 644179-1 644180-1 644180-2 644180-3 644180-4 644180-5 644180-6 644180-7 644180-8 6442 6442 SL001
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