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6HQ6R8DAAAA

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  • 功能描述
  • 瓷片电容器 500volts 6.8pF
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay/Cera-Mite
  • 电容
  • 0.01 uF
  • 容差
  • 20 %
  • 电压额定值
  • 3 kV
  • 工作温度范围
  • - 25 C to + 105 C
  • 损耗因数 DF
  • 端接类型
  • Radial
  • 产品
  • High Voltage Ceramic Disc Capacitors
6HQ6R8DAAAA 技术参数
  • 6HP04MH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V .37A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):370mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 欧姆 @ 190mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):24.1pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标准包装:3,000 6HP04CH-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4V 驱动 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):370mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 欧姆 @ 190mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):24.1pF @ 20V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 6HM89 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件状态:有效 标准包装:1 6HM7-6 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件状态:有效 标准包装:1 6HM7-30 功能描述:SEALED AERO SWITCH 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 零件状态:有效 标准包装:1 6JWHT 6KA24/4 6KA24-3HE3/54 6KA24-7000HE3/54 6KA24-E3/54 6KA24-E3/73 6KA24HE3/54 6KA24HE3/73 6KA24HE3_A/C 6KA24HE3_A/D 6KA24L-01HE3/72 6KA24L-2HE3/38 6KA24L-4HE3/72 6KA24L-6600HE3/2M 6KA24L-7001HE3/72 6LF22XWA/1SB 6LF22XWA/B 6LF22XWA/C
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