70V261L35PFG

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70V261L35PFG 技术参数

70V261L35PF8 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:IDT 存储容量: 组织: 访问时间: 电源电压-最大: 电源电压-最小: 最大工作电流: 最大工作温度: 最小工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: 70V261L35PF 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V261L25PFI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 256KBIT 16KX16 25NS 100TQFP - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT 70V261L25PFI 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V261L25PFGI8 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V261S35PFG8 70V261S55PF 70V261S55PF8 70V26L25G 70V26L25J 70V26L25J8 70V26L25JI 70V26L25JI8 70V26L35G 70V26L35J 70V26L35J8 70V26L55G 70V26L55J 70V26L55J8 70V26S25J 70V26S25J8 70V26S25JI 70V26S25JI8