70V261S25PFG

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制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
SRAM Chip Async Dual 3.3V 256K-Bit 16K x 16 25ns 100-Pin TQFP
制造商
IDT
功能描述
SRAM Chip Async Dual 3.3V 256K-Bit 16K x 16 25ns 100-Pin TQFP

70V261S25PFG 技术参数

70V261S25PF8 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:IDT 存储容量: 组织: 访问时间: 电源电压-最大: 电源电压-最小: 最大工作电流: 最大工作温度: 最小工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: 70V261S25PF 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V261L55PF8 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:IDT 存储容量: 组织: 访问时间: 电源电压-最大: 电源电压-最小: 最大工作电流: 最大工作温度: 最小工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: 70V261L55PF 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V261L35PF8 功能描述:静态随机存取存储器 16Kx16,3.3V DUAL- PORT RAM w/INT RoHS:否制造商:IDT 存储容量: 组织: 访问时间: 电源电压-最大: 电源电压-最小: 最大工作电流: 最大工作温度: 最小工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: 70V26L25J 70V26L25J8 70V26L25JI 70V26L25JI8 70V26L35G 70V26L35J 70V26L35J8 70V26L55G 70V26L55J 70V26L55J8 70V26S25J 70V26S25J8 70V26S25JI 70V26S25JI8 70V26S35G 70V26S35J 70V26S35J8 70V26S55G