70V5388-S133BGI

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70V5388-S133BGI 技术参数

70V5388S133BG8 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V5388S133BG 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V5388S133BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 133MHZ 256BGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 四端口，同步存储容量:1.125M（64K x 18）速度:133MHz 接口:并联电压 - 电源:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:256-LBGA 供应商器件封装:256-CABGA（17x17）标准包装:1,000 70V5388S133BC 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 1.125MBIT 64KX18 3.4NS 256BGA - Rail/Tube 70V5388S100BG8 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 70V5388S200BC8 70V5388S200BCG 70V5388S200BG 70V5388S200BG8 70V631S10BC 70V631S10BC8 70V631S10BCG 70V631S10BCG8 70V631S10BF 70V631S10BF8 70V631S10BFG 70V631S10BFG8 70V631S10PRF 70V631S10PRF8 70V631S10PRFG 70V631S10PRFG8 70V631S10PRFI 70V631S10PRFI8