71V30L25TFGI

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制造商
Integrated Device Technology Inc
功能描述
1KX8 LOW POWER 8K 3.3V DUAL PORT RAM - Bulk

71V30L25TFGI 技术参数

71V30L25TFG8 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V30L25TFG 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V30L25TF8 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V30L25TF 功能描述:静态随机存取存储器 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V25761YS200PFG 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:托盘零件状态:过期格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（128K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:100-LQFP 供应商器件封装:100-TQFP（14x20）标准包装:72 71V30L55TF8 71V30L55TFI 71V30L55TFI8 71V30S25TF 71V30S25TF8 71V30S25TFI 71V30S25TFI8 71V30S35TF 71V30S35TF8 71V30S35TFI 71V30S35TFI8 71V30S55TF 71V30S55TF8 71V30S55TFG 71V30S55TFG8 71V30VL55TFI 71V30VL55TFI8 71V30VL90TF