71V35761YSA200BGG

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71V35761YSA200BGG 技术参数

71V35761SA200BQGI8 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（128K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15）标准包装:2,000 71V35761SA200BQGI 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:托盘零件状态:过期格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（128K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15）标准包装:136 71V35761SA200BQG8 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（128K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15）标准包装:2,000 71V35761SA200BQG 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 200MHZ 165CABGA 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（128K x 36）速度:200MHz 接口:并联电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）封装/外壳:165-TBGA 供应商器件封装:165-CABGA（13x15）标准包装:136 71V35761SA200BGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Single 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 3.1ns 119-Pin BGA T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 128KX36 3.1NS 119BGA - Tape and Reel 71V3577S65PFG8 71V3577S65PFGI 71V3577S65PFGI8 71V3577S75BG 71V3577S75BG8 71V3577S75BGG 71V3577S75BGG8 71V3577S75BGGI 71V3577S75BGGI8 71V3577S75BGI 71V3577S75BGI8 71V3577S75BQ 71V3577S75BQ8 71V3577S75BQG 71V3577S75BQG8 71V3577S75BQI 71V3577S75BQI8 71V3577S75PFG