71V416L10BEI,5,BGA,ITD,自己铺面，绝对库存现货

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71V416L10BEI,5,BGA,ITD,自己铺面，绝对库存现货技术参数

71V416L10BEG8 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V416L10BEG 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V416L10BE8 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V416L10BE 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V3579S85PFGI8 功能描述:静态随机存取存储器 256Kx18 SYNC 3.3V FLOW-THROUGH 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray 71V416L12BE8 71V416L12BEG 71V416L12BEG8 71V416L12BEGI 71V416L12BEGI8 71V416L12BEI 71V416L12BEI8 71V416L12PHG 71V416L12PHG/3247 71V416L12PHG8 71V416L12PHGI 71V416L12PHGI8 71V416L12YG 71V416L12YG8 71V416L12YGI 71V416L12YGI8 71V416L15BE 71V416L15BE8