72V8980J8

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72V8980J8 技术参数

72V85L20PA8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Bi-Dir 8K x 9 x 2 56-Pin TSSOP T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH BI-DIR 8KX9 X 2 56TSSOP - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:8Kx9 ASYNCHRONOUS DUAL FIFO 3.3V 72V85L20PA 功能描述:先进先出 8Kx9 ASYNCHRONOUS DUAL 先进先出 3.3V RoHS:否制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: 72V85L15PAG8 功能描述:先进先出 8Kx9 ASYNCHRONOUS DUAL 先进先出 3.3V RoHS:否制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: 72V85L15PAG 功能描述:先进先出 8Kx9 ASYNCHRONOUS DUAL 先进先出 3.3V RoHS:否制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: 72V85L15PA8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO Mem Async Dual Depth/Width Bi-Dir 8K x 9 x 2 56-Pin TSSOP T/R 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:FIFO ASYNC DUAL DEPTH/WIDTH BI-DIR 8KX9 X 2 56TSSOP - Tape and Reel 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:8Kx9 ASYNCHRONOUS DUAL FIFO 3.3V 72V8985J8 72V8985JG 72V8985JG8 72V90823BCG 72V90823PF 72V90823PF8 72V90823PFG 72V90823PFG8 72V90823PQF 72V90823PQFG 72WFW 72WFWG 72WHW 72WHWG 72XFW 72XFWG 72XHW 72XHWG