A-FT09-R-ND

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制造商
ASSMANN
制造商全称
Assmann Electronics Inc.
功能描述
HAUBEN FUR D-SUB-STECKVERBINDER

A-FT09-R-ND 技术参数

AFT09MS031NR1 功能描述:RF Mosfet LDMOS 13.6V 500mA 870MHz 17.2dB 31W TO-270-2 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17.2dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:31W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:TO-270AA 供应商器件封装:TO-270-2 标准包装:1 AFT09MS031GNR1 功能描述:FET RF 40V 870MHZ TO270-2G 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17.2dB 电压 - 测试:13.6V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:31W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:TO-270BA 供应商器件封装:TO-270-2 鸥翼型标准包装:1 AFT09MS015NT1 功能描述:RF Mosfet LDMOS 12.5V 100mA 870MHz 17.2dB 16W PLD-1.5W-2 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:17.2dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:16W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:PLD-1.5W-2 供应商器件封装:PLD-1.5W-2 标准包装:1 AFT09MS007NT1 功能描述:RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W-2 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15.2dB 电压 - 测试:7.5V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:7.3W 电压 - 额定:30V 封装/外壳:PLD-1.5W-2 供应商器件封装:PLD-1.5W-2 标准包装:1 AFT09MP055NR1 功能描述:FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:870MHz 增益:15.7dB 电压 - 测试:12.5V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:550mA 功率 - 输出:1W 电压 - 额定:40V 封装/外壳:TO-270AB 供应商器件封装:TO-270 WB-4 标准包装:500 AFT18HW355SR6 AFT18P350-4S2LR6 AFT18S230-12NR3 AFT18S230SR3 AFT18S230SR5 AFT18S260W31GSR3 AFT18S260W31SR3 AFT18S290-13SR3 AFT20P060-4GNR3 AFT20P060-4NR3 AFT20P140-4WGNR3 AFT20P140-4WNR3 AFT20S015GNR1 AFT20S015NR1 AFT21H350W03SR6 AFT21H350W04GSR6 AFT21S140W02GSR3 AFT21S140W02SR3