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A2T18S166W12SR3

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A2T18S166W12SR3 技术参数

A2T18S165-12SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售晶体管类型:LDMOS 频率:1.805GHz ~ 1.995GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA 功率 - 输出:148W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-2L2L 供应商器件封装:NI-780S-2L2L 标准包装:250 A2T18S162W31SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780S-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:1.84GHz 增益:20.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1A 功率 - 输出:32W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-2L2LA 供应商器件封装:NI-780S-2L2LA 标准包装:250 A2T18S162W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:1.84GHz 增益:20.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1A 功率 - 输出:32W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780GS-2L2LA 供应商器件封装:NI-780GS-2L2LA 标准包装:250 A2T18S160W31SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780S-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:1.88GHz 增益:19.9dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1A 功率 - 输出:32W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-2L2LA 供应商器件封装:NI-780S-2L2LA 标准包装:250 A2T18S160W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:LDMOS 频率:1.88GHz 增益:19.9dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1A 功率 - 输出:32W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780GS-2L2LA 供应商器件封装:NI-780GS-2L2LA 标准包装:250 A2T21H360-23NR6 A2T21H360-24SR6 A2T21H410-24SR6 A2T21H450W19SR6 A2T21S160-12SR3 A2T21S260-12SR3 A2T21S260W12NR3 A2T23H160-24SR3 A2T23H200W23SR6 A2T23H300-24SR6 A2T26H160-24SR3 A2T26H165-24SR3 A2T26H300-24SR6 A2T27S007NT1 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1 A2V07H400-04NR3 A2V07H525-04NR6