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A2T18S261W12NR3

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  • 功能描述
  • AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
  • 制造商
  • nxp usa inc.
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • 晶体管类型
  • LDMOS
  • 频率
  • 1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 增益
  • 18.2dB
  • 电压 - 测试
  • 28V
  • 额定电流
  • 10μA
  • 噪声系数
  • -
  • 电流 - 测试
  • 1.5A
  • 功率 - 输出
  • 280W
  • 电压 - 额定
  • 65V
  • 封装/外壳
  • OM-880X-2L2L
  • 供应商器件封装
  • OM-880X-2L2L
  • 标准包装
  • 250
A2T18S261W12NR3 技术参数
  • A2T18S260W12NR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.805GHz ~ 1.88GHz 增益:18.7dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.5A 功率 - 输出:280W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:OM-880X-2L2L 供应商器件封装:OM-880X-2L2L 标准包装:250 A2T18S260-12SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.805GHz ~ 1.995GHz 增益:18.9dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:257W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-2L2L 供应商器件封装:NI-780S-2L2L 标准包装:250 A2T18S165-12SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件状态:在售 晶体管类型:LDMOS 频率:1.805GHz ~ 1.995GHz 增益:18dB 电压 - 测试:28V 额定电流:10μA 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA 功率 - 输出:148W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-2L2L 供应商器件封装:NI-780S-2L2L 标准包装:250 A2T18S162W31SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780S-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:1.84GHz 增益:20.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1A 功率 - 输出:32W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780S-2L2LA 供应商器件封装:NI-780S-2L2LA 标准包装:250 A2T18S162W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:1.84GHz 增益:20.1dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1A 功率 - 输出:32W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-780GS-2L2LA 供应商器件封装:NI-780GS-2L2LA 标准包装:250 A2T21H450W19SR6 A2T21S160-12SR3 A2T21S260-12SR3 A2T21S260W12NR3 A2T23H160-24SR3 A2T23H200W23SR6 A2T23H300-24SR6 A2T26H160-24SR3 A2T26H165-24SR3 A2T26H300-24SR6 A2T27S007NT1 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1 A2V07H400-04NR3 A2V07H525-04NR6 A2V09H300-04NR3 A2V09H400-04NR3 A2V09H525-04NR6
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